GPD Optoelectronics 成立於 1973 年，最初名為 Germanium Power Devices Corp.。公司初期專注於製造高品質的鍺電晶體，但自 1980 年代初期以來，GPD Optoelectronics 已成為鍺與銦鎵砷（InGaAs）光電二極體及多元件光電偵測器的可靠製造商。隨著技術實力和生產能力的提升，GPD Optoelectronics 持續成長，最終遷至新罕布夏州塞勒姆的新廠房，並使公司規模翻倍擴大。
